記憶體
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DRAM
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DDR3
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DDR4
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AI伺服器
AI伺服器、AI PC與手機終端設備推升記憶體需求,帶動DRAM、NAND與NOR報價上漲。市場預期記憶體上行週期將延續至2026年上半年,台系晶圓廠與模組廠可望受惠。
全球記憶體市場重回上行軌道。隨著三星(Samsung)、海力士(SK hynix)、美光(Micron)等大廠逐步讓DDR3、DDR4減產,舊世代產品供給銳減,造成明顯供需失衡。雖然產業重心已轉向DDR5與高頻寬記憶體(HBM),但車用電子、Wi-Fi路由器、工控設備與嵌入式系統等應用仍大量使用DDR3與DDR4,市場需求強勁。
目前主要供應商包含三星、海力士、美光、南亞科(2408)、華邦電(2344)、晶豪科(3006)、兆易創新與長鑫存儲等。由於原廠產能持續轉向DDR5與HBM,DDR3及DDR4供應緊張預期將延續至2026年下半年,報價可望逐季上揚,台系晶圓廠南亞科、華邦電、晶豪科因此受惠。
HDD供應緊張 NAND報價逐季走高
傳統硬碟(HDD)供應吃緊,推升NAND Flash需求。晟碟(SanDisk)與威騰電子(Western Digital)已宣布漲價,供應鏈顯示HDD交期長達1年,導致雲端服務供應商(CSP)與資料中心約200EB的儲存缺口轉向採用QLC SSD(固態硬碟)。受惠替代效應,NAND Flash報價上漲,訂單量明顯提升。
AI伺服器與影音生成應用帶來龐大資料量,加上HDD供應不足,使NAND滲透率顯著提升。這股結構性轉換不僅帶動短期漲價,也延長了整體記憶體上行週期。
NAND Flash供應由三星、海力士、美光、鎧俠(Kioxia)主導。各家在2025年將較2024年下半年再減產10%~30%,以三星縮減最明顯。減產策略使供應進一步緊縮,價格持續上升。預估NAND報價將逐季走高至2025年底;至於2026年能否續漲,取決於原廠擴產速度與終端需求。
美光擴產HBM引領漲勢 台系模組廠同步受惠
美光為全球DRAM與NAND重要供應商,積極切入HBM市場。2025年第2季DRAM市占第3、NAND第4,HBM產能持續擴充,2026年目標市占逾30%。目前HBM3e已全數售罄,正洽談HBM4。
受AI伺服器需求升高影響,美光暫停DRAM報價,顯示買盤強勁。市場預估DDR4、DDR5合約價上漲10%~20%,帶動南亞科、華邦電及台系模組廠同步受惠。同時,HDD缺料促使CSP採用QLC SSD,美光與群聯合作可望擴大優勢。
台廠方面,在製造端,南亞科、華邦電、晶豪科受惠於DDR3、DDR4報價續漲,營收與毛利改善。模組端包括創見(2451)、威剛(3260)、十銓(4967)、宇瞻(8271)亦同步受惠,但由於DDR5漲幅有限,整體貢獻不如晶圓廠。
NAND相關族群包括:群聯(8299)持有大量低價庫存並深耕企業級SSD,有望放大獲利;宜鼎(5289)、旺宏(2337)在控制IC、工控模組與NOR Flash領域也可望受惠。
進一步分析各家公司營運展望。南亞科在2025年第3季轉盈,主因出貨回升與報價上漲。公司預期報價續漲至2026年上半年,DDR4現貨漲幅高於DDR3、DDR5,將調整產品組合、維持高稼動率。
華邦電主力DDR3,正推進DDR4量產,預計2026年放量;NAND(SLC、NOR)價格受減產帶動回升。CUBE高頻寬記憶體預計2026年量產,初期應用於穿戴裝置,未來延伸至AR/VR。
模組廠威剛、十銓、宇瞻因持有低價庫存,在漲價循環中獲利彈性較高,其中十銓、宇瞻以工控市場為主,受惠幅度領先。
景氣回升搭配供給收縮 記憶體循環延長至2026
此波記憶體上行兼具「景氣復甦」與「結構收縮」兩大特徵。DDR3、DDR4停產與產能轉往DDR5及HBM,推升報價逐季墊高;HDD缺料又帶動NAND替代需求,循環可望延續至2026年上半年。
受惠族群明確:製造端南亞科、華邦電、晶豪科;模組端創見、威剛、十銓、宇瞻;NAND與控制IC端:群聯、宜鼎、旺宏。美光HBM3e售罄、HBM4推進中,DRAM合約價上漲10%~20%帶動整體供應鏈獲利提升。
惟需留意兩項風險:其一,2026年NAND價格能否續漲取決於擴產節奏;其二,若原廠提前調整產能,報價漲勢恐放緩。整體而言,AI、車用與工控應用帶來的長尾需求,將使這一波記憶體行情具延展性與深度。
(圖片來源:Shutterstock僅示意 / 內容僅供參考,投資請謹慎為上)
文章出處:《Money錢》2025年11月號
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